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J-GLOBAL ID：200903099890758004

半導体発光装置

Inventor： 棚橋 俊之 ,  雙田 晴久
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991237511
Publication number (International publication number)：1993075205
Application date： Sep. 18, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体発光装置に関し,漏れ電流の小さい,高効率,高出力の半導体レーザ装置の提供を目的とする。【構成】 一導電型InP基板1と, 一導電型InP基板1上に形成された一導電型InPバッファ層2と,一導電型InPバッファ層2の一部,InGaAsP活性層3,反対導電型InPクラッド層4からなる積層構造のメサストライプ部と,メサストライプ部の側面及び一導電型n-InPバッファ層2上を覆うp型GaAsバリア層6と, p型GaAsバリア層6に接するp型InP埋込み層7とを有する半導体発光装置により構成する。また,上記の構造に加えて,前記p型InP埋込み層7の表面を覆うp型GaAsバリア層を有する半導体発光装置により構成する。

Claim (excerpt)：

一導電型InP基板(1, 21) と, 該一導電型InP基板(1,21) 上に形成された一導電型InPバッファ層(2, 22) と,該一導電型InPバッファ層(2, 22) の一部,InGaAsP活性層(3, 23) ,反対導電型InPクラッド層(4, 24) からなる積層構造のメサストライプ部と,該メサストライプ部の側面及び該一導電型InPバッファ層(2, 22) 上を覆うp型GaAsバリア層(6, 26) と, 該p型GaAsバリア層(6, 26) に接するp型InP埋込み層(7,27) とを有することを特徴とする半導体発光装置。