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J-GLOBAL ID：200903099902618726

スイッチング素子の製造方法、スイッチング素子及びスイッチング素子アレイ

Inventor： 平岡 俊郎 ,  浅川 鋼児 ,  堀田 康之 ,  山本 和重 ,  山本 正彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999374990
Publication number (International publication number)：2001189466
Application date： Dec. 28, 1999
Publication date： Jul. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、低温で製造可能な有機半導体を活性層に用いたSITのゲート電極を作製するにあたり、ゲート孔が十分小さくかつゲート孔を均一に形成し耐久性に優れたゲート電極を容易に得ることができ、良好なスイッチング特性を示すSIT型のスイッチング素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明のスイッチング素子の製造方法においては、ゲート電極3は、前記ゲート電極3を構成する物質からなる薄膜であるゲート電極前駆体膜上にミクロ相分離構造を生成する化合物の薄膜を形成し、ミクロ相分離構造を形成、さらに前記ミクロ相分離構造のうち少なくとも1種類の相を選択的に除去し多孔膜を形成し当該多孔膜をエッチングマスクとして、前記ゲート電極前駆体膜をエッチングして複数の孔を有するゲート電極3を形成することにより製造されることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ソース電極とドレイン電極からなる電極対と、前記ソース電極と前記ドレイン電極間に挿入され複数の貫通孔を有するシート状のゲート電極と、前記ゲート電極の前記貫通孔中および前記電極対間の空隙に少なくとも部分的に充填される電子輸送性あるいはホール輸送性の有機電荷輸送性物質とを備えるスイッチング素子の製造方法において、前記ゲート電極は、前記ゲート電極を構成する物質からなる薄膜であるゲート電極前駆体膜を形成する第1工程と、前記ゲート電極前駆体膜上にミクロ相分離構造を生成する化合物の薄膜を形成する第2工程と、前記ミクロ相分離構造を生成する化合物の薄膜に前記ミクロ相分離構造を形成する第3工程と、形成された前記ミクロ相分離構造のうち少なくとも1種類の相を選択的に除去し多孔膜を形成する第4工程と、当該多孔膜をエッチングマスクとして、前記ゲート電極前駆体膜をエッチングして複数の孔を有するゲート電極を形成する第5工程とを行うことにより製造されることを特徴とするスイッチング素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/80 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 51/00 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/786

FI (5)：

G09F 9/30 338 ,  H01L 29/80 V ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/78 626 A

F-Term (72)：

4M104AA08 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104FF06 ,  4M104FF11 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5C094AA25 ,  5C094AA31 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA55 ,  5C094BA03 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5C094JA01 ,  5F102FB01 ,  5F102GA13 ,  5F102GB04 ,  5F102GB06 ,  5F102GC08 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL10 ,  5F102GL11 ,  5F102GS03 ,  5F102GS08 ,  5F110AA12 ,  5F110BB01 ,  5F110CC04 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE50 ,  5F110FF22 ,  5F110FF29 ,  5F110FF40 ,  5F110GG05 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG43 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM02 ,  5F110HM13 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 機能素子および多成分多相系高分子成形体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-087094   Applicant：株式会社東芝
• 特開平1-209767
  
• 特開昭63-140576