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J-GLOBAL ID：200903099914450472

スピンバルブ膜

Inventor： 林 一彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994053685
Publication number (International publication number)：1995262529
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【構成】 第1磁性層3/非磁性層4/第2磁性層5/反強磁性層6の構成を有するスピンバルブ膜であって、特に第1および第2磁性層3、5にCoZrNb、CoZrMo、FeSiAl、FeSi、NiFe、あるいはこれにCr、Mn、Pt、Ni、Cu、Ag、Al、Ti、Fe、Co、Znを添加した材料を用いる。このとき、基板1、バッファ層2、保護層7等は適宜材料を選択することが可能である。【効果】 本発明の適用により磁界感度が良好であり、かつ磁気抵抗効果の大きい薄膜を得ることが出来た。この薄膜をシールド型再生ヘッドまたはヨーク形再生ヘッドに用いることにより、従来の磁気抵抗効果を利用した再生ヘッドに比べて最大で4倍程度の再生出力を得ることが出来た。

Claim (excerpt)：

第1磁性層/非磁性層/第2磁性層/反強磁性層を膜基本構成とするスピンバルブ膜において、第1磁性層もしくは第2磁性層のうち少なくとも一方がCoZrNb,CoZrMo,FeSiAl,FeSiよりなる単層膜もしくは多層膜を用いることを特徴とするスピンバルブ膜。

IPC (3)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01L 43/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗効果ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-000266   Applicant：富士通株式会社