Pat
J-GLOBAL ID：200903099918664248

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
原田 直樹

About 原田 直樹

, 
粟野 祐二

About 粟野 祐二


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003345750
Publication number (International publication number)：2005116618
Application date： Oct. 03, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：
【課題】 高速動作、電流駆動能力の優れ、高集積化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板21と、基板21を覆う絶縁膜22と、絶縁膜22上に配置され、内層カーボンナノチューブ23と外層カーボンナノチューブ24a〜24cからなるカーボンナノチューブ25と、内層カーボンナノチューブ23に接触するソース電極26及びドレイン電極27と、外層カーボンナノチューブ24bに接触するゲート電極28などから構成されている。さらに、ソース電極26及びドレイン電極27の外側に、外層カーボンナノチューブ24aに接触する分離電流供給用電極29a、29bが形成された構成とする。ソース電極26及びドレイン電極27と内層カーボンナノチューブ23との接触抵抗を低減し、電流駆動能力を向上する。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
基板と、 前記基板上に配置され、半導体的性質を有する内層カーボンナノチューブと、金属的性質を有し、前記内層カーボンナノチューブを覆うと共に内層カーボンナノチューブの長さ方向に亘ってそれぞれ分離された第1〜第3の外層カーボンナノチューブとを有するカーボンナノチューブと、 前記第2の外層カーボンナノチューブに接触するゲート電極と、 前記ゲート電極の両側に挟むように形成されたソース・ドレイン電極とよりなり、 前記ゲート電極に電圧を印加して、内層カーボンナノチューブの電気伝導度を制御する半導体装置であって、 前記第1及び第3の外層カーボンナノチューブに接触し、外層カーボンナノチューブを分離するため電流を供給する分離電流供給用電極を備えると共に、 前記ソース・ドレイン電極は内層カーボンナノチューブに接触することを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L51/00
FI (4)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/28
F-Term (35)：
5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE21 ,  5F110EE29 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110GG01 ,  5F110GG21 ,  5F110GG26 ,  5F110GG41 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN63 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM