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J-GLOBAL ID：200903099930709419

薄膜基板とその製造方法および薄膜基板上に形成された薄膜トランジスタとその製造方法及び液晶表示装置

Inventor： 川元 暁
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  旭硝子株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994122576
Publication number (International publication number)：1995335889
Application date： Jun. 03, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 一枚の薄膜トランジスタ基板内にアモルファスシリコン薄膜トランジスタによる回路とポリシリコン薄膜トランジスタによる回路とを形成する。【構成】 水素を含まないアモルファスシリコン層を形成後、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ形成領域2aには水素を注入して活性層とし、ポリシリコン薄膜トランジスタ形成領域3aはアモルファスシリコン層をレーザで熱処理してポリシリコン層として活性層とする。

Claim (excerpt)：

水素原子を含んだ薄膜アモルファスシリコン層が形成されている第1の領域と、水素原子を含まない薄膜ポリシリコン層が形成されている第2の領域とを同一基板上に備えたことを特徴とする薄膜基板。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 Y