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J-GLOBAL ID：200903099934350741

多層磁気抵抗効果膜およびこれを用いた磁気記録再生装置

Inventor： 中谷 亮一 ,  杉田 ▲愃▼ ,  小林 俊雄 ,  椎木 一夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991170937
Publication number (International publication number)：1993020645
Application date： Jul. 11, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】本発明の目的は、多層磁気抵抗効果膜の磁気ヘッド適用に関する種々の問題の解決方法を提供する。【構成】高感度磁気抵抗効果素子を得るために、高い磁気抵抗効果を示す多層膜を用い、さらに、非磁性層13の少なくとも1層に、窒化物,炭化物,硼化物,リン化物,IIIb〜Vb 元素からなる化合物を用いることにより、磁性金属層11,12間の交換相互作用を効率良く断ち切ることができ、外部磁界に敏感な多層膜が得られた。また、多層膜に、非磁性層を挾む磁性金属層の磁化の向きのなす角度による磁気抵抗効果を持たせる手法としては、一部の磁性層に、他の磁性層と異なる保磁力、あるいは異方性磁界、あるいは磁化容易方向を持たせた。また、非磁性層の1層あたりの厚さを0.3 から1nmにした。さらに、本発明の多層磁気抵抗効果膜を用いて磁気抵抗効果素子を形成した。また、この磁気抵抗効果素子を磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置に用いた。

Claim (excerpt)：

磁性金属層と非磁性層を積層した多層構造を有する磁気抵抗効果膜において、上記磁気抵抗効果膜が非磁性層を挾む磁性金属層の磁化の向きのなす角度による磁気抵抗効果を有し、上記非磁性層の少なくととも1層に、窒化物,炭化物,硼化物,リン化物,IIIb〜Vb 元素からなる化合物を用いたことを特徴とする磁気抵抗効果膜。