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J-GLOBAL ID：200903099956636509

高低抗炭化ケイ素の製法

Inventor： ニーマン,エッケハルト ,  シュナイダー,ユールゲン ,  ミュラー,ハラルト ,  マイアー,カーリン
Applicant, Patent owner： ダイムラー-ベンツ アクチエンゲゼルシャフト ,  フラウンホーファー-ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー.ファウ.
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995505534
Publication number (International publication number)：1997500861
Application date： Jul. 21, 1994
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】本発明の目的は、低抵抗出発材料から高抵抗SiCを製造する方法である。これは、有力な窒素-不純物の浅いドナー準位を3価の元素の添加により過剰補償し、その際に、このドーピングを、伝導タイプをn-伝導からp-伝導に変える濃度でSiC中に組み込み、かつ更に、SiC中のその禁制帯のほぼ中央にドナー準位を有する遷移金属元素を添加し、それによって、過剰のアクセプタ準位が再び補償されるので、より高い比抵抗が得られることよりなる。

Claim (excerpt)：

低抵抗出発材料からの高抵抗SiCの製法において、有力な窒素-不純物の浅いドナー準位を浅いアクセプタ準位を有する3価の元素の添加により過剰補償し、その際に、このドーピングを、伝導タイプをn-伝導からp-伝導に変える濃度でSiC中に組み込み、かつ更に、SiC中のその禁制帯のほぼ中央にドナー準位を有する遷移金属元素を添加し、それによって、過剰のアクセプタ準位が再び補償されるので、より高い比抵抗が得られることを特徴とする、高抵抗SiCの製法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/161

FI (3)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/322 K ,  H01L 29/163

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平2-253622
  
• 特開平2-291123
  
• 特表平2-503193
  

Cited by examiner (3)

• 特開平2-253622
  
• 特開平2-291123
  
• 特表平2-503193