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J-GLOBAL ID：200903099966660840

堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置

Inventor： 山上 敦士 ,  高木 智
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996113275
Publication number (International publication number)：1998001775
Application date： Apr. 10, 1996
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は、複数の円筒状基体の表面上に、円筒状基体間でのばらつきが少ない高品質な堆積膜を同時に高速度で形成し、効率よく半導体デバイスを形成し得るVHF領域の高周波を使用する生産性の良いプラズマCVD法による堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、減圧可能な反応容器内に、複数の円柱状のカソード電極を配列し、該複数のカソード電極のそれぞれの周囲に被成膜基体である複数の円筒状基体をその中心軸がカソード電極の同軸円周上に立設するように配列し、高周波電力を印加することにより前記カソード電極とカソード電極の同軸円周上に配列した前記複数の円筒状基体との間にプラズマを発生させ、前記円筒状基体を回転させながら該円筒状基体の表面上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法または装置において、前記カソード電極に高周波電源で発生させたVHF帯の高周波電力を整合回路を介して供給するようにしたことを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

減圧可能な反応容器内に、複数の円柱状のカソード電極を配列し、該複数のカソード電極のそれぞれの周囲に被成膜基体である複数の円筒状基体をその中心軸がカソード電極の同軸円周上に立設するように配列し、高周波電力を印加することにより前記カソード電極とカソード電極の同軸円周上に配列した前記複数の円筒状基体との間にプラズマを発生させ、前記円筒状基体を回転させながら該円筒状基体の表面上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記カソード電極に高周波電源で発生させたVHF帯の高周波電力を整合回路を介して供給するようにしたことを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (4)：

C23C 16/50 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 T