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J-GLOBAL ID：200903099979846314

光検出素子

Inventor： マサルカル プラフラ ,  江部 広治
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999217504
Publication number (International publication number)：2001044453
Application date： Jul. 30, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 必要とする電極面積を減らして、検出感度を向上させることができる光検出素子を提供する。【解決手段】 GaAs基板10上に第1の多重量子井戸構造12が形成されている。第1の多重量子井戸構造12は、AlGaAs障壁層とGaAs井戸層が交互に積層されて多重量子井戸を形成している。GaAs障壁層には不純物がドーピングされていない。第1の多重量子井戸構造12上には、第2の多重量子井戸構造14が形成されている。第2の多重量子井戸構造14は、AlGaAs障壁層とGaAs井戸層が交互に積層されて多重量子井戸を形成している。GaAs障壁層には不純物がドーピングされている。

Claim (excerpt)：

不純物が導入されている第1の量子井戸層を有し、第1の波長の光を吸収する第1の量子準位を有する第1の量子井戸構造と、前記第1の量子井戸構造に積層され、不純物が導入されていない第2の量子井戸層を有し、前記第1の波長と異なる第2の波長の光を吸収する第2の量子準位を有する第2の量子井戸構造とを有することを特徴とする光検出素子。

F-Term (11)：

5F088AB07 ,  5F088BA01 ,  5F088BA03 ,  5F088BB03 ,  5F088BB06 ,  5F088DA01 ,  5F088EA04 ,  5F088FA09 ,  5F088GA05 ,  5F088LA01 ,  5F088LA09