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J-GLOBAL ID：200903099998928747

半導体レーザ装置

Inventor： 松本 晃広 ,  大林 健
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993018476
Publication number (International publication number)：1994232512
Application date： Feb. 05, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 レーザ発光の閾値電流を低減して、消費電流を低減できる半導体レーザ装置を提供する。【構成】 この半導体レーザ装置は、活性層102がp型クラッド層103,104とn型クラッド層101とで挟まれている。p型クラッド層103は、活性層102に近接している高キャリア濃度部である。p型クラッド層104は、p型クラッド層103よりも活性層102から離隔していると共に、p型クラッド層103よりもキャリア濃度が低い低キャリア濃度部である。p型クラッド層103が活性層102からの電子の漏れ出しを防止し、p型クラッド層104では電流の広がりが抑えられる。

Claim (excerpt)：

活性層がp型クラッド層とn型クラッド層とで挟まれた半導体レーザ装置において、上記p型クラッド層は、上記活性層に近接している高キャリア濃度部と、この高キャリア濃度部よりも上記活性層から離隔していると共に、上記高キャリア濃度部よりもキャリア濃度が低い低キャリア濃度部とを含んでいることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-225490
  
• 特開昭63-088820
  
• 特開平2-033990
  
• 特開昭63-090186