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J-GLOBAL ID:200904019449421150  Research Project code:2318 Update date:Oct. 07, 2013

ナノ半導体への不純物ドーピング効果の解明と低抵抗ナノフィルム半導体の創製

Study period:2008 - 継続中
Organization (1):
Investigating Researcher (1):
Research overview:
ナノスケール半導体は、量子効果によりバルクと異なる性質を示すことが知られており、次世代情報処理デバイス用の高機能性材料として注目を集めています。一方で、半導体デバイスの実現には、ドナーやアクセプターとよばれる不純物原子を導入することが必要です。本研究では、ナノ半導体に不純物原子を高濃度で導入する方法を開発するとともに、ナノ半導体中での不純物原子の特異な性質を明らかします。
Research program: 戦略的創造研究推進事業(個人型研究)
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Research budget: \0
Parent Research Project (1):

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