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J-GLOBAL ID:200904032987203917  Research Project code:2390 Update date:Oct. 07, 2013

多価イオンプロセスによるナノデバイス創製

Study period:2002 - 継続中
Organization (1):
Investigating Researcher (1):
Research overview:
低エネルギー多価イオン1個を半導体表面などに照射すると、入射点にナノメーターサイズの明瞭なドット構造が生成されます。そのサイズはイオン種により制御可能で、各イオン照射ごとに均一なサイズと量子構造を持つことが観察されました。本研究では、この多価イオンのもつ革新的なプロセス能力を活用し、単一イオン入射を制御しながら量子ドットを周期的に配列させる技術を開発し、新しい(光)機能性素子の創製を目指します。
Research program: ナノテクノロジー分野別バーチャルラボ
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Research budget: \0
Reports  (2):
Parent Research Project (1):

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