Proj
J-GLOBAL ID:200904032999927929  Research Project code:950 Update date:Oct. 07, 2013

電流誘起磁壁移動型磁気メモリの開発に向けた理論研究

電流誘起磁壁移動型磁気メモリの開発に向けた理論研究
Study period:2003 - 2006
Organization (1):
Investigating Researcher (1):
Research overview:
大容量不揮発メモリは、コンピュータの常識とIT技術を革新的に変えるものと期待されています。本研究ではナノサイズの磁石を用いた省電力不揮発性の新型高集積磁気抵抗メモリ(MRAM)の開発に向けた基礎研究を行います。書き込みはナノの世界に特有な磁石と電気の強い相互作用を利用し電流で行い、読み出しはナノ接合の著しい信号増幅効果を用いるという新しいメカニズムを提案し、革新的なメモリの開発を目指します。
Research program: ナノテクノロジー分野別バーチャルラボ
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Research budget: \0
Parent Research Project (1):

Return to Previous Page