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J-GLOBAL ID:200904062170650853  Research Project code:2396 Update date:Oct. 07, 2013

InN 系窒化物ナノデバイス/ナノプロセスの分子線エピタキシ法による新展開

Study period:2002 - 継続中
Organization (1):
Investigating Researcher (1):
Research overview:
最近、InNのバンドキャップが約0.75eVであり、窒化物系半導体は光通信波長領域までもカバーしうることが明らかにされました。本研究では、InNをベースとした窒化物系材料の「超薄膜・超急峻界面制御」分子線エピタキシ法ナノプロセス技術を開発します。これにより、InN系ナノ構造本来の物性を発現させ、近未来の大容量・超高速画像環境情報を支える、光通信波長域レーザ、超高速光制御素子、そして超高速・超省電力電子素子開発の可能性を検討します。
Research program: ナノテクノロジー分野別バーチャルラボ
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Research budget: \0
Reports  (2):
Parent Research Project (1):

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