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J-GLOBAL ID:200904088348932474  Research Project code:2262 Update date:Oct. 07, 2013

Si系半導体ナノ構造を基礎とした単一電子スピントランジスタの開発

Study period:2008 - 継続中
Organization (1):
Investigating Researcher (1):
Research overview:
本研究では、シリコンLSI技術におけるスケーリング則の限界という課題を克服するために、電子のスピンを積極的に活用した動作原理に基づく半導体デバイスの開発を行います。実験的に考案した究極の低消費電力スピントロニクスデバイス『単一電子スピントランジスタ』を、既存のシリコンテクノロジーと整合した素子構造へと発展させ、高性能化および新機能の創出を目指します。
Research program: 戦略的創造研究推進事業(個人型研究)
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Research budget: \0
Parent Research Project (1):

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