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J-GLOBAL ID：200909007500634571
JST material number (FULL)：N20062234S
JST material number：N20062234
超ワイドギャップAIN系半導体の超高温エピタキシャル成長による低転位化とデバイス 平成15-17年度 No.15206003
JST material number：
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Identifier of Material (journals)
N20062234
Material type：Article, Print, zz
Publication frequency： zz
Country of issued：Japan(JPN)
Language (1)：
Japanese(JA)
Editor/ Editing house (1)：
文部科学省
Publisher：
日本学術振興会
Publication place：東京
JST library information (0)：
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