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J-GLOBAL ID：200909022347258076
JST material number (FULL)：N20061927U
JST material number：N20061927
原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー 平成14-16年度 No.14205001
JST material number：
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Identifier of Material (journals)
N20061927
Material type：Article, Print, zz
Publication frequency： zz
Country of issued：Japan(JPN)
Language (1)：
Japanese(JA)
Editor/ Editing house (1)：
文部科学省
Publisher：
日本学術振興会
Publication place：東京
JST library information (0)
※：
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