J-GLOBAL ID:200909022347258076   JST material number (FULL):N20061927U   JST material number:N20061927

原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー 平成14-16年度 No.14205001

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Identifier of Material (journals)
Material type:Article, Print, zz
Publication frequency: zz
Country of issued:Japan(JPN)
Language (1): Japanese(JA)
Editor/ Editing house (1): 文部科学省
Publisher: 日本学術振興会
Publication place:東京
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