Mat
J-GLOBAL ID:200909042965714580   JST material number (FULL):N20072319R   JST material number:N20072319

垂直磁化型不揮発性磁気ランダムアクセスメモリーの低電流書き込み技術の開発 平成17-18年度 No.17360137

JST material number:
JST material number
Identifier of Material (journals)
N20072319
Material type:Article, Print, zz
Publication frequency: zz
Country of issued:Japan(JPN)
Language (1): Japanese(JA)
Editor/ Editing house (1): 文部科学省
Publisher: 日本学術振興会
Publication place:東京
JST library information (0): Subject to change. Contact us for the latest status.

Return to Previous Page