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J-GLOBAL ID：200909050425034949
JST material number (FULL)：N20032630T
JST material number：N20032630
特許出願技術動向調査分析報告書 平成14年度 SOI(Silicon On Insulator)技術
JST material number：
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Identifier of Material (journals)
N20032630
Material type：Article, Print, zz
Publication frequency： zz
Country of issued：Japan(JPN)
Language (1)：
Japanese(JA)
Editor/ Editing house (1)：
富士通テクノリサーチ
Publisher：
特許庁
Publication place：東京
JST library information (0)：
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