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J-GLOBAL ID：200909051370131130
JST material number (FULL)：N20010716S
JST material number：N20010716
単一トランジスタセル構造を持つ新しい強誘電体メモリの研究 平成11年度 No.09305025
JST material number：
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Identifier of Material (journals)
N20010716
Material type：Article, Print, zz
Publication frequency： zz
Country of issued：Japan(JPN)
Language (2)：
Japanese(JA)
, English(EN)
Publisher：
文部省
Publication place：東京
JST library information (0)
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