J-GLOBAL ID:200909051370131130   JST material number (FULL):N20010716S   JST material number:N20010716

単一トランジスタセル構造を持つ新しい強誘電体メモリの研究 平成11年度 No.09305025

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Identifier of Material (journals)
Material type:Article, Print, zz
Publication frequency: zz
Country of issued:Japan(JPN)
Language (2): Japanese(JA) ,  English(EN)
Publisher: 文部省
Publication place:東京
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