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J-GLOBAL ID：200909055565049735
JST material number (FULL)：N19990932T
JST material number：N19990932
デジタルMOCVD法によるPZT強誘電体薄膜の作製とそのデバイス応用に関する研究 平成9年度 No.07555418
JST material number：
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Identifier of Material (journals)
N19990932
Material type：Article, Print, zz
Publication frequency： zz
Country of issued：Japan(JPN)
Language (2)：
Japanese(JA)
, English(EN)
Publisher：
文部省
Publication place：東京
JST library information (0)
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