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反射戻り光耐性、超低チャーピング性を特長とする新構造分布帰還型半導体レーザの開発 平成2年度 No.01850014

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Identifier of Material (journals)
Material type:Article, Print, zz
Publication frequency: zz
Country of issued:Japan(JPN)
Language (2): English(EN) ,  Japanese(JA)
Publisher: 文部省
Publication place:東京
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