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J-GLOBAL ID:201001032312561105   Update date: Oct. 30, 2020

Shiojima Kenji

シオジマ ケンジ | Shiojima Kenji
Affiliation and department:
Job title: Professor
Homepage URL  (1): http://fuee.u-fukui.ac.jp/~shiojima/integrated.html
Research field  (1): Electronic devices and equipment
Research keywords  (1): semiconductor, electron devices, metal contacts
Research theme for competitive and other funds  (12):
  • 2019 - 近紫外光を用いた界面顕微光応答法による金属/半導体界面の劣化機構の2次元評価
  • 2019 - 近紫外光を用いた界面顕微光応答法による金属/半導体界面の劣化機構の2次元評価
  • 2017 - 顕微光応答法による金属/ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価
  • 2016 - 顕微光応答法による金属/ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価
  • 2016 - 顕微光応答法による金属/ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価
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Papers (81):
MISC (30):
Patents (26):
  • 顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法
  • 半導体変調素子
  • 最適枕の判定方法及び判定装置
  • 半導体ウエハーの選別方法
  • ショットキーダイオードを作製するn-GaNウエハの選別法
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Books (12):
  • Semiconductor Process Integration 11
    The Electrochemical Society 2019 ISBN:9781623325824
  • 電気電子材料
    オーム社 2016 ISBN:9784274216787
  • Thin Solid Films
    Elsevier 2014
  • 2014 GaNパワー/高周波デバイスの最新動向★徹底解説
    2014
  • Compound semiconductor technology outlook
    2013
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Lectures and oral presentations  (191):
  • Two-Dimensional Characterization of n-GaN Schottky Contacts Printed by Using Ni Nanoink
    (International conference on Solid State Devices and Materials 2020 (SSDM2020) 2020)
  • Mapping of Photoelectrochemical Etched Ni/GaN Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy -- Comparison between n- and p-type GaN samples --
    (International conference on Solid State Devices and Materials 2020 (SSDM2020) 2020)
  • Two-dimensional characterization of Au/Ni/n-GaN Schottky contacts with different surface treatments by scanning internal photoemission microscopy
    (2020)
  • Two-dimensional characterization of Schottky contacts on lnAIN-HEMTs structure by scanning internal photoemission microscopy
    (2020)
  • Characterization of contactless photoelectrochemical-etched Ni/n-GaN Schottky contacts --Comparison in different electrolytes--
    (2020)
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Works (1):
  • クイズゲームソフト”NHK紅白クイズ合戦”
    塩島 謙次 2009 -
Education (1):
  • 1989 - 1992 Tokyo Metropolitan University
Professional career (1):
  • 界面顕微光応答法による金属/半導体接触の2次元評価に関する研究 (東京都立大学)
Work history (6):
  • 2017/04 - 現在 福井大学大学院 工学研究科電気・電子工学専攻 教授
  • 2007/04 - 2019/03 Kanazawa Institute of Technology Graduate School of Engineering Graduate Program in Synthesized Engineering(Toranomon)
  • 2007/04 - 2017/03 福井大学大学院 工学研究科電気・電子工学専攻 准教授
  • 2008/04 - 2016/03 National Institute of Technology, Fukui College Department of Electronics and Information Engineering
  • 2006/04 - 2007/03 福井大学大学院 工学研究科電気・電子工学専攻 助教授
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Committee career (39):
  • 2018/06 - 現在 日本材料学会 編集委員会査読委員
  • 2011 - 現在 電子材料シンポジウム 論文委員
  • 2007 - 現在 応用物理学会 学術講演会プログラム編集委員
  • 2020/09 - 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) Area 3 “Interconnection /3D Integrations/MEMS”,Chair
  • 2013 - 2020/03 独立行政法人日本学術振興会半導体界面制御技術154委員会 企画副委員長
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Awards (3):
  • 2012/03 - 電子情報通信学会北陸支部 平成23年度電気関係学会北陸支部連合大会優秀発表賞
  • 2009/03 - 電子情報通信学会 平成20年度エレクトロニクスソサイエティ活動功労賞
  • 2008/04 - 応用物理学会 JJAP(Japanese Journal of Applied Physics)貢献賞
Association Membership(s) (25):
日本材料学会 ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会 ,  Electrochemical Society ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  電気学会 ,  独立行政法人日本学術振興会半導体界面制御技術154委員会 ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  電気学会 ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-6) ,  電子情報通信学会北陸支部 ,  MRS 2012 Spring Meeting ,  2011 SPIE Photonics West ,  29th and 30th Electronic Materials Symposium ,  31st, 32nd and 33rd Electronic Materials Symposium ,  6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会 ,  独立行政法人日本学術振興会半導体界面制御技術154委員会 ,  日本材料学会 ,  平成30年度「省エネルギー等国際標準開発(国際標準分野)/GaN結晶の転位検出方法に関する国際標準化」、GaN結晶欠陥転位の検出WG
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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