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J-GLOBAL ID：201001032312561105   Update date: Mar. 28, 2023

SHIOJIMA Kenji

シオジマ ケンジ | SHIOJIMA Kenji
Affiliation and department：
University of Fukui Faculty of EngineeringDivision of Engineering Electrical and Electronics Engineering

About University of Fukui Faculty of EngineeringDivision of Engineering Electrical and Electronics Engineering


Job title： Professor
Homepage URL  (1)： http://fuee.u-fukui.ac.jp/~shiojima/integrated.html
Research field  (1)： Electronic devices and equipment
Research keywords  (1)： semiconductor, electron devices, metal contacts
Research theme for competitive and other funds  (12)：
  • 2018 - 2021 近紫外光を用いた界面顕微光応答法による金属/半導体界面の劣化機構の2次元評価
  • 2019 - 近紫外光を用いた界面顕微光応答法による金属/半導体界面の劣化機構の2次元評価
  • 2015 - 2018 顕微光応答法による金属/ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価
  • 2017 - 顕微光応答法による金属/ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価
  • 2016 - 顕微光応答法による金属/ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価
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Papers (89)：
  • Kenji SHIOJIMA, Hiroki IMABAYASHI, and Tomoyoshi MISHIMA. Effect of Surface Treatment in Au/Ni/ n-GaN Schottky Contacts Formed on Cleaved m-Plane Surfaces of Free-Standing n-GaN Substrates. Jouranal of the Society of Materials Science, Japan. 2022. 71. 10. 819-823
  • Kenji Shiojima, Yuto Kawasumi, Yuto Yasui, Yukiyasu Kashiwagi, and Toshiyuki Tamai. Estimation of uniformity in Schottky contacts between printed Ni electrode and,n-GaN by scanning internal photoemission microscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. 8. 0856506-1-0856506-6
  • Kenji Shiojima, Ryo Matsuda, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, and Tomoyoshi Mishima. Mapping of Contactless Photoelectrochemical Etched GaN Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy --- Difference in Electrolytes ---. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. SC1059-1-SC1059-11
  • Kenji Shiojima, Yuto Kawasumi, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima, and Takashi Shinohe. Uniformity characterization of SiC, GaN, and α-Ga2O3 Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 108003-1-108003-4
  • Kenji Shiojima. Two-Dimensional Characterization of Wide-Bandgap Materials and Contact Interfaces by Using Scanning Internal Photoemission Microscopy. ECS Transactions. 2021. 104. 4. 69-82
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MISC (66)：
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Patents (28)：
  • 評価方法、評価システム、半導体素子の製造方法、及び半導体素子
  • 顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法
  • 半導体変調素子
  • 半導体素子及びその製造方法
  • ショットキーダイオード
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Books (14)：
  • Control of Semiconductor Interfaces
    Materials Science in Semiconductor Processing 2020
  • Semiconductor Process Integration 11
    The Electrochemical Society 2019 ISBN:9781623325824
  • Semiconductor Process Integration 10
    Electrochemical Society 2017 ISBN:9781623324643
  • 電気電子材料
    オーム社 2016 ISBN:9784274216787
  • Thin Solid Films
    Elsevier 2014
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Lectures and oral presentations  (215)：
  • Two-dimensional characterization of the edge structure of Ni/n-GaN Schottky contacts under applied voltage by scanning internal photoemission microscopy
    (The 83rd Autum meeting 2022 2022)
  • Mapping of Ultra-High-Pressure Annealed n-GaN Schottky Contacts ,Using Scanning Internal Photoemission Microscopy
    (The 83rd Autum meeting 2022 2022)
  • If the title of your presentation is in European language, the first letter of the word should be capitalized. ,If the title is in European language, the first letter of the word should be capitalized.
    (9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI IX) 2022)
  • Application of graphene for semiconductor-device electrodes
    (福井大学第1回グラフェン研究会 2022)
  • Two-dimensional characterization of forming operation of doped-AlN layers by scanning internal photoemission microscopy
    (応用物理学会春季学術講演会 2022)
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Works (1)：
  • クイズゲームソフト”NHK紅白クイズ合戦”
    塩島 謙次 2009 -
Education (2)：
  • 1989 - 1992 Tokyo Metropolitan University Graduate School, Division of Engineering 電気工学専攻博士課程
  • 1989 - 1992 Tokyo Metropolitan University
Work history (6)：
  • 2017/04 - 現在 福井大学大学院 工学研究科電気・電子工学専攻 教授
  • 2007/04 - 2019/03 Kanazawa Institute of Technology Graduate School of Engineering Graduate Program in Synthesized Engineering(Toranomon)
  • 2007/04 - 2017/03 福井大学大学院 工学研究科電気・電子工学専攻 准教授
  • 2008/04 - 2016/03 National Institute of Technology, Fukui College Department of Electronics and Information Engineering
  • 2006/04 - 2007/03 福井大学大学院 工学研究科電気・電子工学専攻 助教授
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Committee career (41)：
  • 2020/04 - 現在 独立行政法人日本学術振興会R025先進薄膜界面機能創成委員会 企画幹事長
  • 2018/06 - 現在 日本材料学会 編集委員会査読委員
  • 2011 - 現在 電子材料シンポジウム 論文委員
  • 2007 - 現在 応用物理学会 学術講演会プログラム編集委員
  • 2021/09 - 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) Chair (Area 3 “Interconnection /3D Integrations/MEMS”)
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Awards (3)：
  • 2012/03 - 電子情報通信学会北陸支部 平成23年度電気関係学会北陸支部連合大会優秀発表賞
  • 2009/03 - 電子情報通信学会 平成20年度エレクトロニクスソサイエティ活動功労賞
  • 2008/04 - 応用物理学会 JJAP(Japanese Journal of Applied Physics)貢献賞
Association Membership(s) (28)：
独立行政法人日本学術振興会R025先進薄膜界面機能創成委員会 ,  電子情報通信学会 ,  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-Ix) ,  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) ,  独立行政法人日本学術振興会半導体界面制御技術154委員会 ,  日本材料学会 ,  平成30年度「省エネルギー等国際標準開発(国際標準分野)/GaN結晶の転位検出方法に関する国際標準化」、GaN結晶欠陥転位の検出WG ,  日本材料学会 ,  31st, 32nd and 33rd Electronic Materials Symposium ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) ,  電子情報通信学会 ,  MRS 2012 Spring Meeting ,  独立行政法人日本学術振興会半導体界面制御技術154委員会 ,  6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-6) ,  2011 SPIE Photonics West ,  29th and 30th Electronic Materials Symposium ,  電子情報通信学会北陸支部 ,  電気学会 ,  応用物理学会 ,  応用物理学会 ,  電気学会 ,  Electrochemical Society ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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