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J-GLOBAL ID：201002022365797630   Reference number：80A0388983

Fabrication and numerical simulation of the permeable base transistor.

パーミアブルベーストランジスタ(PBT)の数値シミュレーションと製造法

Author (2)： BOZLER C O (Massachusetts Inst. Technology) ,  ALLEY G D (Massachusetts Inst. Technology)
Material： IEEE Trans Electron Devices  (IRE Transactions on Electron Devices)
Volume： 27  Issue： 6  Page： 1128-1141  Publication year： 1980 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ひ化ガリウム ,...

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Terms in the title (4)： パーミアブルベーストランジスタ ,  PBT ,  数値シミュレーション ,  製造法