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J-GLOBAL ID：201002023164851128   Reference number：79A0118990

Nature, origin and effect of dislocations in epitaxial semiconductor layers.

エピタキシャル半導体層中の転位の性質,起源と効果

Author (6)： BOOKER G R ,  TITCHMARSH J M ,  FLETCHER J ,  DARBY D B ,  HOCKLY M ,  Al-JASSIM M
Material： J Cryst Growth  (Journal of Crystal Growth)
Volume： 45  Page： 407-425  Publication year： 1978 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  CODEN： JCRGA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： エピタクシー ,...

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Terms in the title (5)： エピタキシャル ,  半導体層 ,  転位 ,  性質 ,  起源