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J-GLOBAL ID：201002049291915916   Reference number：80A0346461

One-gate-wide CMOS inverter on laser-recrystallized polysilicon.

レーザで再結晶化された多結晶シリコン上に形成した1ゲートCMOSインバータ

Author (2)： GIBBONS J F (Stanford Univ., CA) ,  LEE K F (Stanford Univ., CA)
Material： IEEE Electron Device Lett  (IEEE Electron Device Letters)
Volume： 1  Issue： 6  Page： 117-118  Publication year： 1980 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0193-8576  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

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Terms in the title (5)： レーザ ,  再結晶化 ,  多結晶シリコン ,  ゲート ,  CMOSインバータ