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J-GLOBAL ID：201002049373938469   Reference number：77A0257325

Low temperature silicon epitaxy by partially ionized vapor deposition.

部分イオン化蒸着法によるシリコンの低温エピタクシー

Author (4)： ITOH T ,  NAKAMURA T ,  MUROMACHI M ,  SUGIYAMA T
Material： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
Volume： 16  Issue： 4  Page： 553-557  Publication year： 1977 
JST Material Number： G0520A  CODEN： JJAPA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： イオン化 ,...

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Reference (6)：

• 1) S. Aisenberg and R. Chabot: J. appl. Phys. 42 (1971) 2953.
• 2) H. F. Mataré: Defect Electronics in Semiconductors (Wiley-Interscience, New York, 1971).
• 3) D. M. Mattox and J. E. McDonald: J. appl. Phys. 34 (1963) 2493.
• 4) D. M. Mattox and R. D. Bland: J. nuclear Materials 21 (1967) 349.
• 6) T. Itoh and T. Nakamura: Radiation Effects 9 (1971) 1.

Terms in the title (4)： イオン化蒸着 ,  シリコン ,  低温 ,  エピタクシー