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J-GLOBAL ID：201002058504174272   Reference number：76A0136601

The use of charge pumping currents to measure surface state densities in MOS transistors.

電荷ポンピング電流を用いたMOSトランジスタの表面準位密度の測定
Author (1)：
ELLIOT A B M

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Material：
Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)

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Volume： 19  Issue： 3  Page： 241-247  Publication year： 1976 
JST Material Number： H0225A  ISSN： 0038-1101  CODEN： SSELA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)
Thesaurus term：
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