Art

J-GLOBAL ID：201002111339239265   Reference number：10A1436319

GaAs/Si optoelectronic design and development at Hiroshima university

広島大学におけるGaAs/Siオプトエレクトロニクス設計と開発

Author (10)： YOKOYAMA S ,  MIYAKE K ,  NAGATA T ,  SAKAUE H ,  MIYAZAKI S ,  HORIIKE Y ,  IWATA A ,  AE T ,  KOYANAGI M ,  HIROSE M
Material： SEMICONDUCTOR CHARACTERIZATION
Page： 599-604  Publication year： 1996 
JST Material Number： I19960507  ISBN： 1-56396-503-8  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (5)： GaAs ,  Si ,  オプトエレクトロニクス ,  設計 ,  開発