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J-GLOBAL ID：201002125589585950   Reference number：10A1490455

Thermoelectric properties of 3C-SiC produced by silicon carbonization

ケイ素の炭化により製造した3C-SiCの熱電特性

Author (5)： MASUDA M ,  MABUCHI H ,  TSUDA H ,  MATSUI T ,  MORII K
Material： SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS
Volume： 389-3  Page： 763-766  Publication year： 2002 
JST Material Number： O6089A  ISSN： 0255-5476  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (4)： ケイ素 ,  炭化 ,  3C-SiC ,  熱電特性