Art

J-GLOBAL ID：201002183309710355   Reference number：10A1274553

Effects of substrate nitridation and AlN buffer layer on the properties of GaN on sapphire

サファイア上のGaNの特性に及ぼす基板窒化物形成とAlN緩衝層の影響

Author (7)： ITO T ,  TESHIGAWARA H ,  OHTSUKA K ,  KUWAHARA K ,  SUMIYA M ,  TAKANO Y ,  FUKE S
Material： BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II
Page： 178-181  Publication year： 1998 
JST Material Number： I19980145  ISBN： 4-274-90245-5  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (5)： サファイア ,  GaN ,  窒化物 ,  AlN ,  緩衝層