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J-GLOBAL ID：201002186890265200   Reference number：10A1425630

Transmission electron microscopy study of selective area growth of GaN on (111)Si using AlGaN as an intermediate layer

中間層としてAlGaNを用いた(111)Si上のGaNの選択的面積成長の透過型電子顕微鏡研究

Author (6)： TANAKA S ,  KAWAGUCHI Y ,  YAMADA K ,  SAWAKI N ,  HIBINO M ,  HIRAMATSU K
Material： PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS
Page： 300-301  Publication year： 2000 
JST Material Number： I20000750  ISBN： 4-900526-13-4  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (8)： 中間層 ,  AlGaN ,  Si ,  GaN ,  面積 ,  成長 ,  透過型電子顕微鏡 ,  研究