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J-GLOBAL ID：201002195577444046   Reference number：10A1235143

Effect of Zn atom diffusion in the active layer of InGaAlP visible-LED investigated by the Piezoelectric Photothermal Spectroscopy

圧電光熱分光法で検討したInGaAlP可視LED(発光素子)の活性層内のZn原子拡散の影響

Author (6)： OHNO R ,  TAIJI Y ,  SATO S ,  FUKUYAMA A ,  SHIGETOMI S ,  IKARI T
Material： PROGRESS IN SEMICONDUCTOR MATERIALS FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
Page： 507-512  Publication year： 2002 
JST Material Number： I20020875  ISSN： 0272-9172  ISBN： 1-55899-628-1  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (7)： 圧電 ,  光熱分光法 ,  LED ,  発光素子 ,  活性層 ,  Zn ,  原子拡散