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J-GLOBAL ID：201002201183982980   Reference number：10A0339782

Small-sized optical gate switch using Ge₂Sb₂Te₅ phase-change material integrated with silicon waveguide

シリコン導波路と集積化したGe₂Sb₂Te₅相変化材料を用いた小型サイズ光ゲートスイッチ

Author (8)： IKUMA Y. (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  SHOJI Y. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  KUWAHARA M. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  WANG X. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  KINTAKA K. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  KAWASHIMA H. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  TANAKA D. (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  TSUDA H. (Keio Univ., Kanagawa, JPN)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 46  Issue： 5  Page： 368-369  Publication year： Mar. 04, 2010 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,  *optical waveguide ,  *optical switch ,  phase transition ,  *optical integrated circuit ,  germanium compound ,  antimony compound ,  tellurium compound ,  absorption coefficient ,  laser pulse ,  gate (semiconductor) ,  laser irradiation

JST classification (1)： Other optical transmission devices  (BD06040S)

Terms in the title (6)： シリコン ,  導波路 ,  集積化 ,  相変化材料 ,  サイズ ,  光ゲート