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J-GLOBAL ID：201002203146333061   Reference number：10A1486146

Ion implantation doping for AlGaN/GaN HEMTs

AlGaN/GaN HEMTのためのイオン注入ドーピング

Author (5)： SUITA M ,  NANJO T ,  OISHI T ,  ABE Y ,  TOKUDA Y
Material： PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6
Volume： 3  Issue： 6  Page： 2364-2367  Publication year： 2006 
JST Material Number： O5361A  ISSN： 1610-1634  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (5)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  イオン注入 ,  ドーピング