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J-GLOBAL ID：201002204893068640   Reference number：10A0913298

Magnetoresistance in ferromagnetic-metal/graphene/ferromagnetic-metal lateral junctions

強磁性金属/グラフェン/強磁性金属横方向接合中の磁気抵抗

Author (6)： HONDA S. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMAMURA A. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HIRAIWA T. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SATO R. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  INOUE J. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ITOH H. (Kansai Univ., Suita, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 82  Issue： 3  Page： 033402.1-033402.4  Publication year： Jul. 2010 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *magnetoresistance effect ,  *heterojunction ,  *ferromagnetism ,  *Graphite ,  tight binding approximation ,  electrical conductivity ,  ballistic electron ,  electronic structure ,  tunnel effect ,  band structure ,  conductance ,  *graphene ,  Dirac point

JST classification (1)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (4)： 強磁性金属 ,  グラフェン ,  横方向 ,  磁気抵抗