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J-GLOBAL ID：201002213619754324   Reference number：10A0915946

Shape, width, and replicas of π bands of single-layer graphene grown on Si-terminated vicinal SiC(0001)

Si終端SiC(0001)微傾斜面上に成長した単層グラフェンのπバンドの形,幅およびレプリカ

Author (6)： NAKATSUJI Kan (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  SHIBATA Yuki (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  NIIKURA Ryota (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  KOMORI Fumio (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  MORITA Kouhei (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TANAKA Satoru (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 82  Issue： 4  Page： 045428.1-045428.5  Publication year： Jul. 2010 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *Graphite ,  *pi-orbital ,  replica ,  surface scattering ,  interface (surface) ,  surface steps ,  compound semiconductor ,  *vicinal surface ,  monomolecular layer ,  surface ,  *electronic structure ,  *graphene ,  angle-resolved photoemission spectroscopy
Semi thesaurus term： angle-resolved photoemission spectroscopy ,  termination ,  superstructure

JST classification (2)： Electronic structure of surfaces  (BM02080J) ,  Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (9)： Si ,  終端 ,  SiC ,  微傾斜面 ,  成長 ,  単層グラフェン ,  バンド ,  形 ,  レプリカ