Art

J-GLOBAL ID：201002215154871291   Reference number：10A1265193

The surface treatment of sapphire substrate and its effects on the initial stage of GaN growth by MOVPE

サファイア基板の表面処理とそれがMOVPEによるGaN成長の初期段階におよぼす影響

Author (5)： TSUDA M ,  WATANABE K ,  KAMIYAMA S ,  AMANO H ,  AKASAKI I
Material： 5H INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS
Page： 2163-2166  Publication year： 2003 
JST Material Number： I20030092  ISBN： 3-527-40489-9  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： サファイア基板 ,  表面処理 ,  MOVPE ,  GaN ,  成長 ,  初期段階