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J-GLOBAL ID：201002216101673052   Reference number：10A0265313

Low Voltage Mach-Zehnder Modulator with InGaAs/InAlAs Five Layer Asymmetric Coupled Quantum Wells

InGaAs/InAlAs5層の非対称結合量子井戸をもつ低電圧Mach-Zehnder変調素子

Author (4)： USHIGOME M. (Yokohama National Univ.) ,  FUKUOKA M. (Yokohama National Univ.) ,  ARAKAWA T. (Yokohama National Univ.) ,  TADA K. (Kanazawa Inst. Technol., JPN)
Material： Conference Proceedings. IEEE LEOS Annual Meeting (IEEE Lasers and Electro-Optics Society)  (Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting Conference Proceedings)
Volume： 2009 Vol.2  Page： 434-435  Publication year： 2009 
JST Material Number： T0931A  ISSN： 1092-8081  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *optical modulator ,  *Mach-Zehnder interferometer ,  *quantum well ,  *semiconductor thin film ,  *indium gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  aluminum compound ,  indium compound ,  arsenide ,  multilayer film ,  *MBE growth ,  phase shifter ,  branch circuit ,  *etching ,  optical communication ,  voltage ,  asymmetry ,  heterojunction ,  wet etching
Semi thesaurus term： aluminium indium arsenide ,  wet etching

JST classification (4)： Optical modulators  (BD06020W) ,  Interferometry and interferometers  (BD07070G) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： InGaAs ,  非対称 ,  結合量子井戸 ,  低電圧 ,  変調