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J-GLOBAL ID：201002217031767077   Reference number：10A1615520

Low-Voltage Tunnel Transistors for Beyond CMOS Logic

CMOS論理素子以降用低電圧トンネルトランジスタ

Author (2)： SEABAUGH Alan C. (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  ZHANG Qin (Univ. Notre Dame, IN, USA)
Material： Proceedings of the IEEE  (Proc IEEE)
Volume： 98  Issue： 12  Page： 2095-2110  Publication year： Dec. 2010 
JST Material Number： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *CMOS structure ,  logic element ,  *tunnel effect ,  *MOSFET ,  voltage ,  valence band ,  *conduction band ,  current-voltage characteristic ,  *nanostructure ,  monolayer ,  Graphite ,  band gap ,  Zener effect ,  technological review ,  graphene ,  electrical low voltage ,  nanoribbon ,  *MOS structure

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： CMOS ,  論理素子 ,  低電圧 ,  トンネルトランジスタ