Art

J-GLOBAL ID：201002222150738631   Reference number：10A1171852

InGaN Growth with Indium Content Controlled by GaN Growth Plane

GaN成長面により制御されたインジウム含有のInGaN成長

Author (2)： KANIE H ,  AKASHI K
Material： ADVANCES IN GAN, GAAS, SIC AND RELATED ALLOYS ON SILICON SUBSTRATES
Page： 165-170  Publication year： 2008 
JST Material Number： I20080147  ISSN： 0272-9172  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (4)： GaN ,  成長 ,  インジウム ,  InGaN