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J-GLOBAL ID：201002223260207387   Reference number：10A0282794

Detection of arsenic dopant atoms in a silicon crystal using a spherical aberration corrected scanning transmission electron microscope

球面収差補正走査透過型電子顕微鏡を用いたシリコン結晶中のヒ素ドーパント原子の検出

Author (9)： OSHIMA Y. ,  HASHIMOTO Y. ,  TANISHIRO Y. ,  TAKAYANAGI K. ,  SAWADA H. ,  KANEYAMA T. ,  KONDO Y. ,  HASHIKAWA N. (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  ASAYAMA K. (Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 81  Issue： 3  Page： 035317.1-035317.5  Publication year： Jan. 2010 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： aberration correction ,  *scanning transmisson electron microscope ,  *silicon ,  dopant ,  *arsenic ,  detection ,  fluctuation ,  electron probe ,  focusing(adjustment) ,  RTA
Semi thesaurus term： spherical aberration correction ,  threshold voltage

JST classification (2)： Microscopy determination of structures  (BK01040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (6)： 球面収差補正 ,  走査透過型電子顕微鏡 ,  シリコン結晶 ,  ヒ素 ,  ドーパント ,  原子