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J-GLOBAL ID：201002228154011726   Reference number：10A0327494

Organic Nonvolatile Memory Devices Based on Ferroelectricity

強誘電性物質を用いた有機不揮発性記憶デバイス

Author (7)： NABER Ronald C. G. (ECN Solar Energy, Petten, NLD) ,  ASADI Kamal (Univ. Groningen, Groningen, NLD) ,  BLOM Paul W. M. (Univ. Groningen, Groningen, NLD) ,  BLOM Paul W. M. (Holst Centre, Eindhoven, NLD) ,  DE LEEUW Dago M. (Univ. Groningen, Groningen, NLD) ,  DE LEEUW Dago M. (Philips Res. Lab., Eindhoven, NLD) ,  DE BOER Bert (Univ. Groningen, Groningen, NLD)
Material： Advanced Materials  (Adv Mater (Deerfield, Fla.))
Volume： 22  Issue： 9  Page： 933-945  Publication year： Mar. 05, 2010 
JST Material Number： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ferroelectrics ,  *memory (computer) ,  *nonvolatile memory ,  condenser (capacitor) ,  FET ,  diode ,  integrated circuit memory ,  polyvinylidene fluoride ,  copolymer ,  aliphatic fluorine compound ,  olefin compound ,  ferroelectric FET
Semi thesaurus term： polyvinylidene fluoride ,  *storage device ,  *ferroelectric substance ,  ferroelectric field effect transistor ,  capacitor ,  field effect transistor ,  *nonvolatile memory

JST classification (1)： Physical properties of polymer solids  (CG02024U)

Substance index (1)： Trifluoroethylene

Terms in the title (2)： 強誘電性物質 ,  不揮発性記憶デバイス