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J-GLOBAL ID：201002232280743160   Reference number：10A0491073

Influence of Heterointerface Abruptness on Electrorefractive Effect in InGaAs/InAlAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well

InGaAs/InAlAs5層非対称結合量子井戸における電気屈折効果に対するヘテロ界面急峻性の影響

Author (4)： ISERI Yuji (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  ARAKAWA Taro (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  TADA Kunio (Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  HANEJI Nobuo (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 49  Issue： 4,Issue 2  Page： 04DG04.1-04DG04.4  Publication year： Apr. 25, 2010 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum well ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  multilayer film ,  *indium gallium arsenide ,  aluminum compound ,  indium compound ,  *arsenide ,  *interface (surface) ,  *refractive index ,  *electric field effect ,  gradient ,  *aluminium indium arsenide ,  heterointerface

JST classification (1)： Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A)

Reference (15)：

• H. Yamazaki, T. Yamada, K. Suzuki, T. Gob, A. Kaneko, A. Sano, E. Yamada, and Y. Miyamoto: Abstr. European Conf. Optical Communication (ECOC 2008), 2008, Mo.3. C.1.
• H. Feng, J. P. Pang, M. Sugiyama, K. Tada, and Y. Nakano: IEEE J. Quantum Electron.34(1998)1197.
• T. Suzuki, T. Arakawa, K. Tada, Y. lmazato, J.-H. Nob, and N. Haneji: ipn. J. Appl. Phys.43(2004) L1540.
• T. Arakawa, T. Toya, K. Yamaguchi, T. Uchimura, J.-H. Noh, and K. Tada: 9th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM ’07), 2007, PB 13.
• T. Arakawa, K. Takada, F. Tadano, T. Arima, J.-H. Nob, and K. Tada: Conf. Lasers and Electro-Optics (CLEO ’07), 2007, CMP3.

Terms in the title (5)： InGaAs ,  非対称 ,  結合量子井戸 ,  屈折 ,  ヘテロ界面