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J-GLOBAL ID：201002237060746780   Reference number：10A0497784

化合物半導体ナノワイヤの形成とデバイス応用

Author (6)： FUKUI TAKASHI (北大 大学院情報科学研究科) ,  FUKUI TAKASHI (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  TOMIOKA KATSUHIRO (北大 大学院情報科学研究科) ,  HARA SHINJIRO (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  HIRUMA TAKEYUKI (北大 大学院情報科学研究科) ,  MOTOHISA JUN'ICHI (北大 大学院情報科学研究科)
Material： 関西大学先端科学技術シンポジウム講演集  (関西大学先端科学シンポジウム講演集)
Volume： 14th  Page： 409-414  Publication year： Jan. 25, 2010 
JST Material Number： L3214A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *compound semiconductor ,  *nanowire ,  *crystal growth ,  technological review ,  semiconductor device

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (3)： 化合物半導体 ,  ナノワイヤ ,  応用