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J-GLOBAL ID：201002237266462487   Reference number：10A0969660

High aspect ratio silicon etch: A review

高アスペクト比の珪素エッチング: 解説

Author (3)： WU Banqiu (Applied Materials, 974 E. Arques Ave., M/S 81505 Sunnyvale, California 94085, USA) ,  KUMAR Ajay (Applied Materials, 974 E. Arques Ave., M/S 81505 Sunnyvale, California 94085, USA) ,  PAMARTHY Sharma (Applied Materials, 974 E. Arques Ave., M/S 81505 Sunnyvale, California 94085, USA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 108  Issue： 5  Page： 051101  Publication year： Sep. 01, 2010 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *etching ,  *aspect ratio ,  *silicon ,  inductively coupled plasma ,  MEMS ,  integrated circuit ,  surface quality ,  throughput ,  machining speed ,  nanostructure ,  trench cut (processing) ,  semiconductor process ,  *high aspect ratio ,  nanopillar ,  plasma
Semi thesaurus term： 高スループット ,  etch rate

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (3)： 高アスペクト比 ,  珪素 ,  エッチング