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J-GLOBAL ID：201002240297086760   Reference number：10A1755392

ディラック電子系の固体物理 II.グラフェンの物理 グラフェンの磁気抵抗

Author (2)： YAGI RYUTA (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  YAGI RYUTA (広島大 先進機能物質研究セ)
Material： 固体物理  (Solid State Physics)
Volume： 45  Issue： 11  Page： 631-644  Publication year： Nov. 15, 2010 
JST Material Number： F0158B  ISSN： 0454-4544  CODEN： KOTBA2  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： electron ,  *magnetoresistance effect ,  Graphite ,  silicon ,  silicon dioxide ,  band structure ,  FET ,  electrical conductivity ,  gate (semiconductor) ,  *Landau level ,  fermion ,  strong magnetic field ,  *Shubnikov-de Haas effect ,  quantum Hall effect ,  cyclotron resonance ,  *graphene ,  Dirac electron ,  monolayer graphene ,  bilayer graphene ,  multilayer graphene ,  Dirac fermion ,  Dirac point

JST classification (1)： Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Terms in the title (5)： ディラック電子 ,  固体物理 ,  グラフェン ,  物理 ,  磁気抵抗