Art

J-GLOBAL ID：201002241706587187   Reference number：10A1486687

Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate by selective MOVPE

選択性MOVPEによる(113)Si基板におけるセミポーラ (11-22)GaNの成長

Author (5)： TANIKAWA T ,  HIKOSAKA T ,  HONDA Y ,  YAMAGUCHI M ,  SAWAKI N
Material： PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9
Volume： 5  Issue： 9  Page： 2966-2968  Publication year： 2008 
JST Material Number： O5381A  ISSN： 1610-1634  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： 選択性 ,  MOVPE ,  Si基板 ,  セミ ,  GaN ,  成長