Art

J-GLOBAL ID：201002243335099705   Reference number：10A1231708

Ballistic rectification effects in InAs/AlGaSb nanostructures

InAs/AlGaSbナノ構造における弾道的整流効果

Author (5)： KOYAMA M ,  TAKAHASHI H ,  MAEMOTO T ,  SASA S ,  INOUE M
Material： PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B
Page： 577-578  Publication year： 2007 
JST Material Number： I20070897  ISSN： 0094-243X  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (4)： InAs ,  ナノ構造 ,  弾道 ,  整流