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J-GLOBAL ID：201002244472984550   Reference number：10A0387223

Gas-Phase Synthesis of Rough Silicon Nanowires via the Zinc Reduction of Silicon Tetrachloride

四塩化けい素の亜鉛還元による粗シリコンナノワイヤの気相合成

Author (4)： UESAWA Norihisa (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  INASAWA Susumu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TSUJI Yoshiko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAMAGUCHI Yukio (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C. Energy Conversion and Storage, Optical and Electronic Devices, Interfaces, Nanomaterials, and Hard Matter)
Volume： 114  Issue： 10  Page： 4291-4296  Publication year： Mar. 18, 2010 
JST Material Number： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nanowire ,  *chemical synthesis ,  reduction (reaction) ,  *Zinc ,  VLS growth ,  rough surface ,  scanning electron microscope ,  transmission electron microscope ,  X-Ray Diffraction ,  crystal structure ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  X-ray fluorescence analysis ,  energy dispersive X-ray spectrometry ,  temperature dependence ,  Gibbs free energy ,  *silicon nanowire ,  *gas-phase synthesis

JST classification (1)： Inorganic compounds and elements in general  (CD01010D)

Substance index (1)： Silicon chloride

Terms in the title (5)： 四塩化けい素 ,  亜鉛 ,  還元 ,  シリコンナノワイヤ ,  気相合成